3D TSV 器件市场规模

3D TSV 器件市场分析

3D TSV 器件市场预计在预测期内复合年增长率为 6.2%。

• 电子器件小型化需求的不断增长推动了 3D TSV 市场的增长。这些产品可以通过异质系统集成来实现，这可以提供更可靠的先进封装。借助极小的 MEMS 传感器和 3D 封装电子器件，人们几乎可以将传感器放置在任何地方，并可以实时监控恶劣环境中的设备，以帮助提高可靠性和正常运行时间。
• 动态随机存取存储器 (DRAM) 中的 3D TSV 将每一位数据存储在集成电路内的单独微型电容器中，推动了 3D TSV 市场的增长。美光的 3D DRAM 采用重新架构的 DRAM，在功耗和时序方面实现了显着改进，这有助于开发先进的热模型。
• 最近的 COVID-19 爆发预计将产生重大影响由于亚太地区，特别是中国，是所研究市场的主要影响因素之一，因此所研究市场的供应链存在明显的不平衡现象。此外，亚太地区许多地方政府都对半导体行业进行了长期投资，因此有望恢复市场增长。例如，中国政府筹集了约23至300亿美元的资金，用于支付2030年国家集成电路投资基金第二期的费用。
• 然而，由于高集成度引起的散热问题是3D TSV市场增长的一个挑战因素。由于硅通孔 (TSV) 是 3D IC 集成中的关键连接，硅和铜之间的热膨胀系数 (CTE) 差异超过 10 ppm/K，在施加热负载时会产生热应力。

3D TSV 器件市场趋势

LED 封装将拥有巨大的市场份额

• 发光二极管 (LED) 在产品中的使用越来越多，促进了更高功率、更大密度和更低成本设备的开发。 与 2D 封装不同，三维 (3D) 封装硅通孔 (TSV) 技术的使用可实现高密度垂直互连。
• TSV 集成电路缩短了连接长度，因此，在高效完成单片和多功能集成的组合时需要更小的寄生电容、电感和电阻，从而提供高速低功耗互连。
• 底部带有薄硅膜的嵌入式设计优化了热接触，从而最大限度地降低了热阻。 硅通孔 (TSV) 提供与表面贴装器件的电接触，镜面侧壁可提高封装反射率和影响超过光效率。
• SUSS AltaSpray 技术能够对 90° 角、KOH（氢氧化钾）蚀刻腔、硅通孔 (TSV) 进行涂层集成，范围从几微米到 600μm 或更大。能够在 TSV 等恶劣形貌上生产保形抗蚀剂涂层，使其成为 LED 晶圆级封装的理想选择，从而促进市场增长。

亚太地区将在预测期内实现最快的增长率

• 亚太地区是增长最快的市场，该地区的国家（例如中国、日本、韩国、印度尼西亚、新加坡和澳大利亚）在消费电子、汽车和交通运输领域的制造水平很高，而这些领域是 3D TSV 市场的主要需求来源。
• 亚洲-太平洋也是世界上最活跃的制造中心之一。智能手机的日益普及和对新存储技术的需求促进了计算密集型消费电子产品的增长，从而在该地区创造了广泛的机会。随着硅晶圆广泛用于制造智能手机，5G 技术的引入预计将促进 5G 智能手机的销量，从而可能扩大电信领域的市场。
• 2019 年 4 月，韩国推出了一种用于 3D TSV 与 NCP（非导电浆料）集成的集体激光辅助键合工艺，其中可以同时堆叠多个 TSV 芯片，以提高生产率，同时保持焊点的可靠性通过激光辅助键合 (LAB) 先进技术。这些焊点可能会促进消费和商业领域的增长，从而促进市场的增长。

3D TSV 器件行业概览

由于市场多元化，3D TSV 器件市场呈现碎片化状态，市场上大型、小型和本地供应商的存在造成了高度竞争。主要参与者有 Amkor Technology, Inc.、GLOBALFOUNDRIES、Micron Technology Inc. 等。市场最新动态是 -

• 2019 年 10 月 - 三星开发了业界首款用于 DRAM 产品的 12 层 3D 封装。该技术使用 TSV 为高端图形、FPGA 和计算卡等应用创建大容量、高带宽存储设备。
• 2019 年 4 月 - TSMC 认证的 ANSYS (ANSS) 解决方案用于其创新的系统集成芯片 (TSMC-SoIC) 先进的 3D 芯片堆叠技术。 SoIC 是一种先进的互连技术，用于使用硅通孔（Through Silicon Via）进行系统级集成的多芯片堆叠（TSV）和晶圆上芯片键合工艺使客户能够为高度复杂和要求苛刻的云和数据中心应用提供更高的能效和性能。

3D TSV 器件市场领导者