韩国分立半导体市场规模及份额

韩国分立半导体市场分析

2025年韩国分立半导体市场规模为40.2亿美元，预计到2030年将达到60.0亿美元，复合年增长率为8.33%。这种扩张与汽车的电气化、5G 网络的致密化以及开泰半导体带计划下国内晶圆厂的扩大有关。到 2024 年，功率晶体管将占据 65.5% 的主导地位，这反映出它们在汽车和工业系统能源转换中的关键作用。硅仍然是主要材料，但由于快速充电基础设施需要宽带隙效率，碳化硅 (SiC) 的复合年增长率为 19.2%。三星电子和 SK 海力士等国内龙头企业深化了垂直整合，而英飞凌和意法半导体等全球供应商则利用专业的 SiC 和 GaN 产品组合，o 赢得汽车设计席位。尽管 IC 级集成和熟练劳动力短缺削弱了长期上涨空间，但资本补贴、更高的税收抵免和成熟的电子生态系统继续吸引新的投资。

韩国分立半导体市场趋势和见解

政府支持的韩半导体带资本支出补贴

政府的韩半导体带在 2025 年预留了约 230 亿美元用于新产品晶圆厂和材料厂，刺激了超过 510 万亿韩元（0.37 万亿美元）的私人投资承诺。三星确认了一条额外的平泽生产线，而 SK 海力士则推进了龙仁集群的建设，该集群将在 2027 年实现大批量离散产能上线。2025 年 2 月，企业集团的税收抵免额升至 20%，中小企业的税收抵免额升至 30%，从而缩小了曾经阻碍企业发展的资本缺口。去带隙制造。这些激励措施降低了 SiC 和 GaN 工艺线的进入成本，缩短了本地供应商的上市时间，并加剧了设备供应商之间的竞争。^{[1]Chosun Ilbo，“首尔将半导体支持扩大到 23 B 美元，”Chosun.com}

快速电动汽车充电的推出推动 SiC/GaN 功率器件

随着现代汽车的 800 V 电动汽车架构获得关注，韩国城市在 2024 年至 2025 年期间增加了数百个超快速充电器。充电器内的 SiC MOSFET 可将开关损耗降低高达 80%，从而使 350 kW 充电站的占地面积比硅 IGBT 缩小 30%。首尔的车队运营商报告称，在改装 SiC 功率模块后，能源效率提高了 20%。汽车原始设备制造商也反映了这一趋势：下一代车载充电器现在集成了 GaN 器件，以减轻重量并提高热裕度，从而推动对分布式电源的需求不断增加内存和显示设备供应链对高规格分立器件的拉动

三星将其 P2 工厂转变为先进 DRAM，预计到 2026 年初每月生产 100,000 片晶圆，再加上 SK 海力士的 NAND 投资，需要用于等离子蚀刻机、注入工具和测试处理机的高压分立器件。设备供应商转向 SiC 晶体管，它可以节省 15% 的能源并提高工艺稳定性，满足严格的正常运行时间目标。显示器工厂纷纷效仿，指定具有更高雪崩额定值和改进散热性能的分立器件，以最大限度地提高 OLED 产量。这些上游需求波及韩国分立半导体市场，为坚固耐用的功率设备维持优质的平均售价。

SKT/KT/LGU+ 的 5G 基站致密化

这三家移动运营商在 2024 年至 2025 年 6 月期间投资了约 4 万亿韩元（29 亿美元）用于新 5G 基站，这是另外增加 5 万亿韩元（美元）计划的一部分到 2026 年，将达到 36 亿）。每个基站都依赖 GaN RF 晶体管，将放大器效率提高 40%，减少冷却负载并允许紧凑的无线电设计。 SK Telecom 在半导体工厂内的私有 5G 部署进一步增加了对高可靠性射频开关和保护器件的离散需求。

IC 级集成取代独立组件

智能手机 OEM 通过采用集成 PMIC 消除了多个分立电源调节器，从而节省了 30% 的电路板面积并减少了 15% 的能耗。可穿戴设备和物联网传感器也出现了类似的整合。鉴于消费电子产品占 2024 年需求的 40.9%，此类片上系统策略抑制了小信号分立元件的单位数量。汽车区域架构路线图指向同一方向，即栅极驱动器和传感功能正在转向混合信号 ASIC，从而给长期增长带来结构性压力。

对原始晶圆的进口依赖暴露了汇率波动

韩国分立器件生产商主要从美国、日本和欧洲采购 SiC 晶锭。 2024 年底，韩元兑美元汇率跌至 1,438 韩元，使中型企业的材料成本上涨了 12%，从而侵蚀了利润率以美元计价的出口合同。虽然三星和 SK 海力士对冲货币风险，但规模较小的供应商缺乏类似的工具，从而放大了现金流风险。国内晶体生长计划仍处于试点规模，因此汇率敏感性将持续到 2027 年。^{[2]IT조선，“韩国行业对汇率上升的担忧”， it.chosun.com}

细分市场分析

按器件类型：功率晶体管锚定增长

功率晶体管占 2024 年收入的 65.5%，使其处于韩国分立半导体市场的中心。随着电动汽车逆变器转向 800 V 架构以及工业驱动器需要更高的效率，预计该类别从 2025 年到 2030 年的复合年增长率将达到 9.3%。在该细分市场中，MOSFET 占据最大份额，而韩国分立半导体随着充电器的推出，SiC MOSFET 的市场规模有望显着扩大。仅现代汽车的 IONIQ 5 平台就在每辆车上采用了 50 多个功率晶体管，凸显了汽车市场的深度。

随着英飞凌将其全球汽车市场占有率提高到 14%，为韩国 OEM 厂商提供满足严格结温要求的第二代沟槽截止 IGBT，竞争变得更加激烈。二极管和整流器约占收入的 20%，为消费设备和服务器中的辅助电源轨提供服务。小信号晶体管占据了 10% 的份额，但 PMIC 集成限制了销量增长。晶闸管占 4.5%，对于电网侧功率控制器仍然至关重要，这是一个适度但稳定的利基市场，受益于韩国电力的配电升级项目。

按半导体材料：SiC 加速，硅保持规模

硅在 2024 年占据 88.7% 的份额，反映了其低成本和根深蒂固的供应链。然而 SiC 的需求急剧上升到 2030 年，复合年增长率将达到 19.2%。到 2030 年，韩国分立半导体 SiC 器件市场规模预计将超过 10 亿美元，因为 Onsemi 向富川工厂和研究中心投资 1.4 万亿韩元（10 亿美元），专门用于电动汽车级 SiC。一家领先的工业电机制造商证明，在更换为 SiC 模块后，损耗降低了 25%。

GaN 虽然较小，但在电信和移动快速充电器中获得了知名度，其中开关频率高于 1 MHz 可以减少线圈体积。其他化合物半导体（GaAs 和 SiGe）的份额总计不到 3%，但在微波链路和激光雷达放大器中仍然不可或缺。尽管宽带隙取得了进步，但由于成熟的 200 毫米晶圆厂提供低成本二极管和小信号器件，硅继续支撑大宗商品分立器件。

按电压类别：高压层领先复合年增长率

低压（<40 V）元件占 2024 年出货量的 52.2%，mirroring 它们在手机和物联网节点中无处不在。中压（40-600 V）零件占 30%，服务于白色家电和工厂自动化驱动器。高压（>600 V）层占 17.8% 的份额，预计到 2030 年将以 12.1% 的复合年增长率增长最快，由电动汽车逆变器、可再生能源转换器和电网现代化项目提供动力。随着 KEPCO 智能电网的推出指定 SiC 来降低开关损耗，从而使试点变电站节能 35%，韩国高压 SiC 二极管的分立半导体市场规模正在不断扩大。

OEM 向 800 V 电池组的迁移使设备数量和伏安额定值成倍增加，迫使供应商改进栅极驱动的耐用性和短路承受时间。与此同时，中压设备受益于 HVAC 压缩机和工业机器人的电气化，尽管其复合年增长率仍为个位数。

按封装类型：表面贴装主导地位面临芯片级颠覆

表面贴装封装，在得益于 PCB 自动化和紧凑的外形尺寸，包括 SOT 和 DFN 在内的 SOT 和 DFN 到 2024 年将占据 72.1% 的份额。到 2030 年，芯片级和晶圆级封装将以 15.8% 的复合年增长率快速扩展。韩国智能手机旗舰产品用芯片级版本取代了所有功率分立元件，将电路板面积削减了 40%，并提高了热裕度。汽车供应商也反映了这一转变，共同设计了芯片级 IGBT 模块，为牵引逆变器提供了 50% 高的功率密度。

背面金属化、铜夹接合和烧结芯片粘接正在成为关键的差异化因素。随着 SiC 结温攀升至 175 °C 以上，封装创新在缓解热瓶颈方面发挥着决定性作用，韩国 OSAT 正在投资真空回流焊和先进底部填充领域。

按最终用户垂直领域：汽车业务激增，而消费电子产品保持领先

202 年，消费电子产品和电器占韩国分立半导体市场份额的 40.9%4，反映了该国在智能手机、电视和高端家电领域的主导地位。这些大批量器件依赖于首尔周边成熟的 200 毫米晶圆厂生产的低压 MOSFET、ESD 保护二极管和整流器。随着片上系统集成减少了小信号分立器件的材料清单，该细分市场的扩张步伐正在放缓，但更换周期和优质显示器升级使单位需求保持稳定。

随着电气化加速，汽车应用到 2030 年将以 16.1% 的复合年增长率发展。现代汽车的 800 V EV 平台在每辆车上集成了 300 多个分立功率器件，包括 SiC MOSFET 牵引逆变器和 GaN 车载充电器，以最大限度地提高效率和行驶里程。每次转向更高的电池电压都会将离散内容提升近 30%，从而对高电压、高电流封装的需求产生乘数效应。在 G 的推动下，电信基础设施吸收了约 15% 的收入运营商 SK T、KT 和 LG Uplus 继续致密化的 5G 基站中使用的射频晶体管。^{[3]韩国时报，“SKT、KT、LGU+ 纪念 5G 商业化一周年”在国家碳中和目标的支持下，工业自动化和机器人技术占据了近 10% 的份额，而可再生能源电力转换器和电网规模存储系统合计占 5%。}

地理分析

京畿道在全国产能中占据主导地位2025 年。平泽、华城和利川的大型园区内设有晶圆厂，生产硅二极管和新兴的 SiC 生产线。 K-半导体带将基础设施资金输送到这条走廊，促进气体、光掩模和 CMP 浆料供应商集群的发展。这种集聚缩短了物流周期哎呀，但集中了地震和供水风险。

首尔-仁川轴线在市场价值中占据了仅次于京畿道的重要份额，以设计中心、研发实验室和先进封装公司为基础。 Onsemi 在盆唐设有一个解决方案工程中心，为相机和模拟客户提供支持，而仁川的多个 OSAT 则封装了用于出口的电源模块。靠近消费电子 OEM 可以加快设计周期，这对于高周转手机分立器件来说是一个优势。

东南部的釜山-蔚山利用汽车和重工业的联系，生产了分立器件。当地大学工业项目重点关注恶劣海洋环境下功率器件的可靠性。剩下的 5% 分布在大田等新兴城镇，这些城镇受益于 KAIST 的人才管道。

竞争格局

市场显示出 m调整集中度，平衡规模效率与利基专家的空间。三星电子通过在生产电视和电器的同一工厂生产硅功率晶体管，确保了国内市场的需求和成本杠杆。 SK 海力士已将业务范围从存储器扩展到数据中心电源轨的高压分立器件，并计划到 2027 年进一步扩建 38.7 亿美元的产能。

在全球进入者中，英飞凌在 2024 年占据韩国汽车半导体收入的 17.7%，提供 EDT3 沟槽截止 IGBT，使电动汽车逆变器的传导损耗降低 20%。^{[4]英飞凌科技，“英飞凌推出新一代汽车用 IGBT 芯片，”infineon.com} 意法半导体于 2024 年推出具有增强热性能的汽车级 MOSFET，巩固了自己的地位l 电阻按韩国OEM规格定制。安森美半导体利用其 1.4 万亿韩元（10 亿美元）的投资承诺，扩大了富川 SiC 生产线，为当地牵引逆变器合同提供服务。

专业的韩国厂商填补了技术空白：RFHIC 负责 5 G 宏单元的 GaN RF 器件，而 BOS Semiconductors 则专注于汽车车身领域芯片。 ROHM 在 2027 财年投资 5100 亿日元（35 亿美元），以提高全球 SiC 产量，这表明可能与韩国模块制造商建立合资企业。现在，竞争优势集中在宽带隙晶圆质量、芯片级封装以及符合 AEC-Q101 和电信级标准的经过认证的可靠性数据。公司与设备制造商和电动汽车原始设备制造商建立研发联盟，共同优化设备物理和模块拓扑，确保特定应用产品的稳定管道。