英国 NOR Flash 市场规模及份额
英国 NOR Flash 市场分析
2025 年英国 NOR Flash 市场价值为 1.0176 亿美元，预计 2030 年将达到 1.2933 亿美元，预测期内复合年增长率为 4.91%。由于电信、汽车和智能能源基础设施持续数字化，需求不断增长。一系列 5G 基站升级、车辆平台电气化和持续的国防现代化正在提升单位数量，并推动供应商根据国家半导体战略扩大本地原型设计[1]科学、创新和技术部。 《国家半导体战略》。 5月19日 2023. https://www.gov.uk/government/publications/national-semiconductor-strategy/national-semiconductor-strategy。。向 28 nm 及以下工艺迁移正在扩大性能范围，而晶圆级芯片级封装 (WLCSP) 则提高了可穿戴设备和物联网节点的设计灵活性。与此同时，eMMC 和高密度 NAND 威胁着对价格敏感的插槽，迫使 NOR 供应商通过即时启动可靠性和关键任务系统的抗辐射选项来实现差异化。
关键报告要点
- 按类型划分，串行 NOR 将于 2024 年占据英国 NOR 闪存市场 79.7% 的份额；到 2030 年，并行 NOR 将以 3.11% 的复合年增长率增长。
- 从接口角度来看，SPI 单/双通道细分市场到 2024 年将占据 53.7% 的收入，而八进制和 xSPI 预计到 2030 年将以 5.31% 的复合年增长率增长。
- 从密度来看，32 Mbit 占据了 2024 年英国 NOR 闪存市场规模的 27.8%。 2024；预计容量将超过 256 Mbit到 2030 年，复合年增长率将达到 5.11%。
- 按电压划分，1.8 V 产品占 2024 年销售额的 52.9%；到 2030 年，小于或等于 1.2 V 的设备将以 5.07% 的复合年增长率增长最快。
- 从最终用户来看，消费电子产品将在 2024 年占据 33.6% 的市场份额；到 2030 年，汽车应用的复合年增长率有望达到 5.42%。
- 按工艺节点计算，2024 年 55 纳米器件将占据 38.5% 的份额；到 2030 年，28 纳米及以下节点将以 5.31% 的复合年增长率加速增长。
- 按封装计算，QFN/SOIC 占 2024 年销量的 39.6%；到 2030 年，WLCSP/CSP 解决方案的复合年增长率将达到 5.21%。
英国 NOR 闪存市场趋势和见解
驱动因素影响分析
| 5G 基础设施的推出加速了电信设备中对高可靠性代码存储的需求 | +1.20% | 全国范围内，主要集中在城市中心 | 中期（2-4 年） |
| 需要即时启动的英国 OEM 越来越多地采用 ADAS 和 EV 平台 | +1.70% | 全国，重点关注汽车制造中心 | 中期（2-4 年） |
| 英国净零指令下智能电表和物联网部署的扩展 | +0.90% | 全国，大都市早期取得进展区域 | 长期（≥ 4 年） |
| 国防现代化计划（Tempest、Skynet 6）增加安全 NOR 闪存的采用 | +0.80% | 全国，集中在国防设施附近 | 中期（2-4 年） |
| 半导体设计税收激励措施（英国半导体战略 2023）促进本地原型开发 | +0.50% | 全国，集中在技术中心 | 短期（≤ 2 年） |
| 英国制造的边缘 AI 模块转向八进制/xSPI 架构 | +0.60% | 全国，重点关注技术制造中心 | 中期（2-4年） |
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5G基础设施的推出加速了对高可靠性代码存储的需求
运营商各家公司都在急于提升独立 5G 覆盖范围，从而引发了一波无线接入网络升级浪潮，其中嵌入了串行 NOR 以实现安全启动序列。尽管 2024 年 5G 平均可用性仅占用户时间的 10% [2]社交市场基金会。 “英国在主要经济体 5G 连接联盟中排名垫底。” 《计算机周刊》，2024 年 10 月 8 日。https://www.computerweekly.com/news/366612919/UK-ranks-last-in-major-economy-5G-connectivity-league。，政府政府拨款 5000 万美元在 2025 年建立 5G 创新区域，刺激即时启动代码存储的订单。电信 OEM 指定四路 SPI 和八路 NOR 来满足低延迟要求，将密度从 128 Mbit 提高到 512 Mbit，并巩固供应商的长期销量可见性。
英国 OEM 越来越多地采用 ADAS 和 EV 平台
当地汽车制造商正在集成先进的驾驶员辅助系统和能够在微秒内启动的电动传动系统。英飞凌的 ASIL-D 认证 SEMPER 系列于 2025 年 5 月推出[3]英飞凌科技股份公司。 “英飞凌 SEMPER™ NOR 闪存系列获得了汽车应用的 ASIL-D 认证。” 2025 年 5 月 8 日。https://www.infineon.com/cms/en/about-infineon/press/market-news/2025/INFATV202505-101.html.，展示了供应商争夺高达 2 Gbit 即时启动设备资格的竞争。英国的目标是到 2030 年拥有 300,000 个公共电动汽车充电点，为八进制 xSPI 部件提供可观的中期收入来源。
智能电表和物联网部署的扩展
净零立法正在推动安装智能电表和全天候记录和传输数据的电网边缘传感器。商业和贸易部在 2024 年至 2025 年间拨出 53 亿美元用于净零研发[4]英国商业和贸易部。 “英国净零排放研究和创新化框架。”2023 年 11 月 14 日。https://www.gov.uk/government/publications/uk-net-zero-research-and-innovation-framework-delivery-plan-2022-to-2025/uk-net-zero-research-and-innovation-framework-delivery-plan-2022-to-2025。。诸如国家第一个智能变电站，于 2025 年 1 月投入运行 [5]英国电力网络。“英国电力网络安装英国第一个智能变电站 - DCD。”2025 年 1 月 23 日。 https://www.datacenterdynamics.com/en/news/uk-power-networks-installs-uks-first-smart-substation/，嵌入带有集成 NOR 闪存的安全微控制器，将容量推至 8-32 Mbit 范围。
国防现代化计划增加安全 NOR 闪存的采用
像 Tempest 和 Skynet 6 这样的项目需要辐射-t宽容的。国防部2024年拨款91亿美元用于装备研发[6]国家审计办公室。 “2023-24 年国防部概述”。 2024 年 10 月 24 日。https://www.nao.org.uk/wp-content/uploads/2024/10/ministry-of-defence-overview-2023-24.pdf。。英飞凌于 2024 年 11 月发布的 512 Mbit 抗辐射 QSPI 器件 [7]英飞凌科技股份公司。 “英飞凌推出业界首款抗辐射设计 512 Mbit QSPI NOR 闪存，适用于太空和极端环境应用。”2024 年 11 月 18 日。https://www.infineon.com/cms/en/about-infineon/press/market-news/2024/INFATV202411-024.html 设定了基准，可信供应商采购规则为现有企业在这个高利润利基市场提供了定价溢价。
限制影响分析
| 国内晶圆厂产能有限导致供应链脆弱 | -0.70% | 全国 | 长期（≥ 4 年） |
| 低成本eMMC和高密度NAND解决方案竞争力不断增强 | -0.50% | 全球，对英国市场有影响 | 中期（2-4 年） |
| ≤28 nm 节点的光刻工具成本较高 | -0.40% | 全球，对英国市场的影响 | 中期（2-4 年） |
| 英国退欧导致跨境半导体贸易监管复杂性 | -0.60% | 全国，对欧盟贸易产生影响 | 短期（≤ 2 年） |
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国内晶圆厂产能有限导致供应链脆弱英国在设计知识产权方面表现出色，但仍依赖离岸晶圆厂进行批量生产，这使得 NOR 买家面临地缘政治出口管制。价值 10 亿美元的国家激励措施重点关注设计集群而不是大批量制造，因此供应稳定性取决于与亚洲代工厂的双边协议。
低成本 eMMC 和高密度 NAND 解决方案的竞争力不断增强
当密度需求超过 512 Mbit 时，串行 NAND 或 eMMC 的每比特成本低于 NOR。插入现有 NOR 引脚的新 QspiNAND 变体加剧了价格压力，特别是在信息娱乐主机和智能显示器中 [8]Kawaguchi, Jun.“什么是QspiNAND 和 NOR Flash 之间的区别？”电子设计。2025 年 4 月 17 日访问。https://www.electronicdesign.com/technologies/embedded/digital-ics/memory/video/55239286/Electronic-design-whats-the-difference- Between-qspinand-and-nor-flash。。
细分市场分析
按类型：串行领先地位持续，并行重新夺回地位
由于单线 SPI 削减了 PCB 空间并简化了布线，串行 NOR 占 2024 年收入的 79.7%，由于可穿戴设备和智能标签所需的能源效率，串行 NOR 虽然规模较小，但复合年增长率为 3.11%。在需要 100 MB/s 读取速率的工业 PC 中采用该技术，多家 OEM 厂商认可了 256 Mbit 的 16 位并行设备，以取代 NOR + SRAM 组合，这一转变可能会使 Parallel 在英国 NOR 闪存市场规模中的份额到 2030 年提高到 4,000 万美元。
第二代 3D NOR Prototypes 有望缩小串行和并行布局之间的成本差距。如果商业化，堆叠阵列可以将并行密度提高到 4 Gbit 以上，而不会产生 NAND 式的延迟，从而为实时记录系统带来机遇。因此，供应商保持双重路线图：成本优化的串行产品系列和以性能为中心的并行产品线。
按接口：八进制和 xSPI 势头增强
SPI 单/双仍然占据 2024 年收入的 53.7%，但汽车分区架构和边缘 AI 推理模块需要更高的带宽。因此，八进制和 xSPI 的复合年增长率为 5.31%，到 2030 年将显着提高收入份额。就地执行功能意味着微控制器直接从闪存运行代码，从而削减 DDR 成本和电路板面积，这是与一级汽车供应商产生共鸣的价值主张。
接口演变也会影响定价动态。虽然现在八进制器件的溢价高达 30%，但体积缩小正在缩小差距，鼓励电信 OEM 逐步淘汰双 SPI 启动闪存。因此，英国 NOR 闪存市场正在走向两层接口层次结构：用于性能关键任务的八进制和用于成本敏感子系统的传统 SPI。
按密度：容量 ≥ 256 Mbit 超过中档
32 Mbit 的密度可满足 2024 年大多数嵌入式固件的需求，但软件定义的车辆、智能仪表和 5G 无线电现在都支持多映像启动提高对大于 256 Mbit 部件的需求的分区。该频段 5.11% 的复合年增长率得到了供应商转向 28 nm 浮栅或 SONOS 工艺的支持，从而保持了芯片尺寸的经济性。因此，到本十年结束时，大于 256 Mbit 的层可能会占据英国 NOR 闪存市场份额的三分之一。
低密度设备在超低功耗可穿戴设备中仍然具有战略意义，其中较小的芯片可以减少泄漏。供应商将 8–16 Mbit 芯片封装在 WLCSP 中，以满足蓝牙信标外形尺寸的要求，确保平衡即使更高容量扩展，仍会出现密度混合。
按电压：低功耗标准加速
1.8 V 级在 2024 年占据 52.9% 的份额，反映了无处不在的电池供电设计。纽扣电池传感器和健身追踪器的趋势驱动小于或等于 1.2 V 的设备，预计复合年增长率为 5.07%。如果主机控制器能够承受较低的 I/O 电源轨，那么 1.8 V 部件节省三分之一的功耗会鼓励设计人员进行迁移。
宽电压 (1.65–3.6 V) 部件在电源轨波动的汽车仪表板中保持相关性。因此，供应商维持广泛的电压组合以降低平台转型风险，这一策略在 GigaDevice 和 Winbond 最近推出的多电压产品中得到了体现。
按最终用户应用：汽车加速
消费电子产品在 2024 年仍占出货量的 33.6%，但在信息娱乐域控制器和 ADAS 传感器的推动下，汽车销量以 5.42% 的复合年增长率增长最快或融合。预计到 2030 年，英国汽车用 NOR 闪存市场规模将大幅增长。原始设备制造商青睐具有 256-512 Mbit 容量和八进制接口的 AEC-Q100 合格部件。
工业和能源设施对中密度串行 NOR 保持稳定的需求，而电信基础设施升级提供了与 5G 推出相一致的大量但规模较大的订单。国防和航空航天处于高端领域，采购具有安全启动和长期保留的抗辐射设备。
按工艺技术节点：28 纳米以下采用率攀升
传统 55 纳米浮栅工艺占 2024 年收入的 38.5%。缩小至 28 nm 可以降低有功功率并在每个芯片上容纳更多位数，从而推动复合年增长率 5.31%。然而，光刻成本和 IP 移植复杂性阻碍了小批量 SKU 的采用，从而保持了混合节点格局。铸造厂合作至关重要；台积电 28 纳米嵌入式闪存路线图瞄准汽车微控制器，为英国系统公司提前提供支持r 访问先进节点。
按封装类型：WLCSP 在可穿戴设备和物联网领域扩展
QFN/SOIC 仍然是主流，占 39.6% 的份额，其回流鲁棒性受到重视。然而，随着智能手机和智能手表设计师追求毫米级电路板节省，WLCSP/CSP 的复合年增长率为 5.21%。汽车组件仍然依赖引线 QFN 来实现机械稳定性，但信息娱乐子板越来越多地采用细间距 BGA 来满足总线布线限制。
地理分析
英国 NOR Flash 市场受益于剑桥和西南部地区集中的半导体设计人才库。抵消原型掩模成本的政府拨款引发了欧洲和台湾当地代工合作伙伴更多的流片。尽管如此，国内制造缺口仍迫使原始设备制造商从亚洲工厂进行双重采购，从而增加了物流开销和交货时间。
英国汽车行业的区域需求最为强劲活跃走廊，考文垂和桑德兰周围的电动汽车价值链使用八进制 NOR 进行电池管理和车载计算。苏格兰的电信研发中心推动了 5G 无线电板的小批量订单，而威尔士的化合物半导体集群则为未来的抗辐射闪存生产做好了准备。
英国脱欧海关手续继续影响库存缓冲策略。分销商维持 NOR 的供应周数高于商品 NAND，以确保不会出现端口延迟。从长远来看，自由港计划下的税收减免可能会吸引后端测试和封装投资，部分缓解对海外分包商的依赖。
竞争格局
全球供应商主导英国 NOR Flash 市场格局，但市场仍处于温和状态支离破碎。英飞凌、美光和华邦合计持有近 45% 的股份2024 年，为敏捷专家留下空间。并购活动正在升温，例如，Ardian 于 2025 年 1 月收购了 Synergie Cad，增强了其测试接口产品组合，这标志着供应链整合，可能会收紧小型房屋的资格名额。
产品路线图强调安全和安保凭证。英飞凌的 ASIL-D 认证 SEMPER™ 系列针对区域 ECU，而华邦的安全 W77T 系列则针对汽车无线固件。 MRAM 挑战者 Everspin 追求高速记录角色，为航空电子集成商提供耐用性和锁存读取优势。
政策因素举足轻重，例如，根据《国家安全和投资法案》，当局于 2024 年底阻止了中国持有一家国内半导体公司的股份，这突显了主权能力优先事项。因此，供应商寻求建立合资企业，将知识产权控制在联盟管辖范围内。
最新行业发展
- 2025 年 1 月：Ardian Semiconductor 收购了 Synergie Cad Group，以扩大后端测试接口产品范围，此举缩短了高引脚数 NOR 封装的上市时间，并深化了本地工程资源。
- 2025 年 1 月：英国电力网络安装了该国首个采用基于 NOR 的安全控制器的智能变电站，展示了电网运营商的价值即时启动，实现弹性能源分配基础设施。
- 2025 年 5 月：英飞凌的 SEMPER™ NOR 闪存系列获得 ASIL-D 认证，巩固其在功能安全合规性为核心采购标准的安全关键型汽车平台领域的领导地位。
- 2025 年 5 月：SEALSQ 的 VaultIC 408 安全微控制器获得 FIPS 140-3 验证；集成到智能电表中表明关键公用事业中对具有片上加密技术的嵌入式 NOR 解决方案越来越偏爱。
- 2024 年 12 月：华邦推出自动化解决方案经otive认证的W77T安全闪存，将其产品组合扩展到以MCU为中心的车载架构，并标志着战略重点放在英国不断扩大的电动汽车生产基地。
FAQs
英国 NOR Flash 市场目前价值多少？
2025 年市场价值为 1.0176 亿美元，预计将达到 1.0176 亿美元到 2030 年将达到 1.2933 亿。
哪个细分市场扩张最快？
汽车最终用户领先增长预计 2025 年至 2030 年复合年增长率为 5.42%。
为什么汽车需求增长如此之快？
电动和自动驾驶汽车程序要求即时启动，高可靠性，推动汽车NOR Flash 需求的复合年增长率为 5.42%。
低压产品将如何影响未来的设计？
≤ 1.2 V NOR Flash 降低有功功率约三分之一，使其对可穿戴和纽扣电池物联网设备具有吸引力。
有限的英国制造业会带来哪些风险？
对离岸晶圆厂的依赖暴露供应链受到地缘政治干扰，可能会延长交货时间并提高成本。
