报告概述

到 2034 年，碳化硅 (SiC) MOSFET 市场规模预计将达到 337 亿美元左右，从 2024 年的25 亿美元来看，期间复合年增长率为 29.9%预测期为 2025 年至 2034 年。到 2024 年，亚太地区占据市场主导地位，占据33.7%以上份额，收入8 亿美元。

碳化硅 (SiC) 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 是先进的半导体器件，已成为电力行业不可或缺的一部分与传统硅基晶体管相比，电子器件具有优越的性能。 SiC MOSFET 具有更高的效率、更快的开关时间和更好的热管理，使其特别适合电力电子、电动汽车和可再生能源系统中的应用

Si 的全球市场由于汽车和可再生能源等领域越来越多地采用这些器件，C MOSFET 正在经历显着增长。 SiC MOSFET 市场的主要驱动力包括对节能电源系统的需求不断增长、电动汽车 (EV) 市场的扩张，以及工业和消费电子产品对先进电源解决方案日益增长的需求。

SiC MOSFET 的卓越特性，例如更高的效率以及更高的温度和电压能力，也对其不断增长的采用做出了重大贡献。在功率转换方面需要高效率和可靠性的行业对 SiC MOSFET 的需求强劲。这包括汽车电源系统、可再生能源转换器以及数据中心和电信电源装置中的应用。

SiC MOSFET 减少能量损耗和提高系统性能的能力是其广泛采用的基础。关键因素影响 SiC MOSFET 市场的因素包括提高 SiC 器件性能并降低成本的技术进步。然而，SiC 材料的高成本和制造工艺的复杂性仍然是阻碍市场增长的重大挑战。

例如，2024 年 6 月，Vishay Intertechnology 在 PCIM Europe 2024 上推出了首款 SiC MOSFET 产品，标志着其功率半导体产品组合的一个重要里程碑。该公司展示了广泛的电源管理解决方案，迎合了电力电子领域的主要趋势，包括电动汽车、高效电源转换、能量存储和电网管理。

在业务运营中采用 SiC MOSFET 可提高能源效率、降低运营成本并提高各种应用的系统性能。涉及制造电动汽车或可再生能源系统的企业将特别受益于效率的提高

关键要点

• 碳化硅 (SiC) MOSFET 市场预计将从25 亿美元增长2024 年到到 2034 年 337 亿美元，预测期内（2025-2034 年）的复合年增长率为 29.9%。
• 亚太 (APAC) 地区在到 2024 年，占据总市场份额33.7%，并产生8 亿美元收入。
• 模块 SiC MOSFET 细分市场在 2024 年占总市场份额的56%以上。
• 150mm 晶圆技术细分市场在2024年54.7%市场份额，反映其在大功率应用中的广泛采用
• 1200V-1700V 细分市场在 2024 年占据了市场主导地位。该电压范围对于需要高功率密度和效率的应用至关重要，包括电动汽车、工业自动化和电网基础设施。
• 逆变器细分市场在 2024 年占据了重要的市场份额，凸显了其在功率转换应用中的重要性。
• 汽车领域主导了 SiC MOSFET 市场，到 2024 年将占据40%以上份额。

亚太地区 SiC MOSFET 市场规模

2024 年，亚太 (APAC) 地区在碳化硅 (SiC) MOSFET 中占据主导地位市场份额超过33.7％，收入达到约8 亿美元。这一巨大的市场份额可归因于几个战略和经济因素这凸显了该地区在全球 SiC MOSFET 行业中的关键作用。

首先，亚太地区受益于中国、韩国和日本等领先半导体制造国家的存在。这些国家拥有一些世界上最重要的制造商和研发中心，致力于 SiC 技术的进步。

强大的工业基础，加上对半导体研究的大量投资，推动了高性能 SiC MOSFET 的开发，以满足各种应用不断增长的需求。此外，该地区对电气化和可再生能源的承诺极大地促进了 SiC MOSFET 需求的激增。

亚太地区各国政府都实施了有利的政策和激励措施，鼓励采用电动汽车 (EV) 和扩大可再生能源装机，这两者都严重依赖 SiC MOSFET 提供的效率增益。这项政策驱动旺盛的需求为 SiC 组件创造了强劲的市场，进一步确立了亚太地区在该领域的领导者地位。

此外，亚太地区快速的城市化和工业化需要先进的能源管理和分配电源解决方案，进一步推动了对 SiC MOSFET 的需求。 SiC 技术因其卓越的效率和热特性而在工业和消费电子应用中的集成，与该地区对高科技和可持续工业实践的推动非常吻合。

分析师的观点

SiC MOSFET 市场的投资机会很大，例如开发更具成本效益的制造工艺、扩大产品范围以覆盖更多领域。更广泛的应用以及封装技术的增强，以支持将 SiC MOSFET 集成到各种电子设备中。

监管环境或 SiC MOSFET 越来越关注能源效率和环境可持续性。欧盟 RoHS 和 WEEE 指令等法规影响了包括 SiC MOSFET 在内的电子元件的制造和处置，推动制造商采取更可持续的做法​。

SiC MOSFET 的最新技术进步包括器件架构的改进，以减少栅极电荷和传导损耗，以及开发更强大的栅极驱动技术。这些创新有助于提高基于 SiC 的电源系统的整体性能和可靠性。

器件类型分析

2024 年，模块 SiC MOSFET 细分市场占据了市场主导地位，占据了全球 SiC MOSFET 市场56%以上的份额。这种领先地位主要是由于该模块能够在一系列要求严格的应用中提供卓越的系统级性能。从可再生能源系统到汽车电力电子设备。

将多个 SiC MOSFET 集成到单个模块中可实现更高的功率密度和效率，这对于这些高性能领域至关重要。模块 SiC MOSFET 在需要强大电源管理解决方案的应用中尤其受到青睐，例如电动汽车和工业电机驱动器。

与分立器件相比，它们能够以更低的损耗处理高电压和温度，从而显着提高了整体系统的可靠性和性能。汽车等行业的电源系统越来越紧凑、节能，空间优化和节能至关重要。

模块 SiC MOSFET 的简化设计和制造工艺进一步支持了市场对模块 SiC MOSFET 的偏好。通过降低系统组装的复杂性并通过集成确保更高的可靠性从长远来看，集成组件、模块提供了更具成本效益的解决方案。

技术分析

2024 年，碳化硅 (SiC) MOSFET 市场中的150mm 晶圆技术部分占据绝对领先地位，占据了54.7%以上的份额。该细分市场的主导地位归因于其在生产 SiC MOSFET 方面的既定地位，这对于从电力电子到汽车系统的一系列应用至关重要。

150mm 晶圆因其成本效益和处理灵活性而受到特别重视，使其适用于大批量生产不是主要关注点的各种制造要求。对 150mm 晶圆技术的偏爱源于其有效平衡性能与制造成本的能力。

尽管出现了更大的晶圆，150mm 晶圆仍然是需要精确器件规格和制造成本的环境中不可或缺的一部分。没有必要进行广泛的扩展。这包括向更大晶圆过渡尚未带来明显成本效益的专业市场和应用。

此外，150mm 晶圆技术继续受益于制造工艺和材料处理的渐进改进。这些进步通过提高晶圆质量和降低晶圆成本，帮助维持其竞争力，使该技术可用于更广泛的应用。

该领域的持续发展表明其在市场中的稳固地位，这得益于其适应性以及对经济高效、高性能 SiC MOSFET 的持续需求。尽管面临 200mm 晶圆等新技术的压力，150mm 细分市场的弹性凸显了其在 SiC MOSFET 市场格局中的关键作用，这得益于其经过验证的能力和符合行业需求的持续优化。

电压范围分析

2024年，碳化硅（SiC）MOSFET市场的1200V-1700V细分市场占据主导地位，占据了巨大的市场份额。该细分市场因其在满足各行业高压应用的高级需求方面发挥着关键作用而处于领先地位。

此电压范围内的器件在可再生能源、汽车和工业应用中，它们对于管理更高的功率水平和确保高效的能量转换至关重要。

1200V-1700V SiC MOSFET 在需要在高压条件下保持稳定性能的应用中尤其受到青睐，例如，它们是太阳能逆变器、工业电机驱动器和电动汽车动力系统中不可或缺的一部分。

SiC MOSFET 卓越的效率和热管理能力使其成为这些应用的理想选择，可实现更紧凑的设计并减少能量损失。与较低电压范围相比。技术进步也推动了 1200V – 1700V 细分市场的增长。

半导体技术的创新增强了 SiC MOSFET 的性能特征，提高了其在更高电压下的可靠性和效率。这使得它们对于寻求提高电力电子系统性能的制造商越来越有吸引力。

此外，汽车行业对绿色技术和电气化的推动支撑了该电压范围内的强劲需求。随着行业向更高功率应用发展，1200V – 1700V SiC MOSFET 在升高电压和温度下高效运行的能力成为推动其采用的关键因素​

应用分析

2024 年，逆变器细分市场在碳化硅 (SiC) MOSFET 市场中占据主导地位，占据了实质l 市场份额。这一领先地位主要归功于 SiC MOSFET 在提高各种应用中逆变器系统的效率和性能方面发挥的关键作用，特别是在可再生能源和电动汽车 (EV) 中。

SiC MOSFET 因其卓越的效率而在逆变器应用中受到高度重视，可显着增强整体能量转换过程，减少损耗并提高输出。逆变器领域主要受益于在太阳能逆变器和风力发电系统中部署 SiC MOSFET，它们可以实现更高效的功率转换，这对于实现可持续能源目标至关重要。

与传统硅器件相比，它们能够在更高的电压和温度下运行，且损耗更低，进一步巩固了它们在可再生能源应用中的效用​。在汽车行业，SiC MOSFET 越来越多地用于电动汽车逆变器，有助于更好的电池管理和更高效的电源r 使用，可延长车辆行驶里程并减少充电时间。

由于全球转向电动汽车、严格的排放法规以及政府促进电动汽车采用的激励措施，该应用程序得到了快速增长。此外，SiC 技术的不断进步，例如晶圆生产和封装的改进，将继续降低 SiC MOSFET 的成本并提高其性能。

最终用途分析

2024 年，汽车细分市场在碳化硅 (SiC) MOSFET 市场中占据主导地位，占据了超过40% 份额。这一重要的市场份额主要是由 SiC MOSFET 越来越多地集成到电动汽车 (EV) 中推动的，这对于提高电动汽车的效率、续航里程和性能至关重要。

SiC MOSFET 有助于提高汽车电力电子设备的功率密度并减少能量损耗，特别是主要应用于牵引逆变器、车载充电器和 DC-DC 转换器，这些都是电动汽车的关键部件。

汽车领域的领先地位得到了汽车技术不断进步的进一步支持，包括自动驾驶和互联汽车功能的扩展，这些功能利用 SiC MOSFET 在汽车应用的苛刻条件下实现高效电源管理和可靠的性能。

随着汽车行业继续推动电气化和更复杂的电子系统，SiC MOSFET 的作用预计将在减少车辆排放和增加采用节能技术的趋势支持了这一领域的增长。

此外，汽车制造商的大量投资以及 SiC 技术的持续创新推动了该领域的增长，这些创新降低了成本并提高了 SiC MOSFET 的技术规格。这使得它们对高功率应用程序更具吸引力

主要细分市场

按器件类型

• 模块 SiC MOSFET
• 分立 SiC MOSFET

按技术

• 150mm晶圆技术
• 200mm晶圆技术

按电压范围划分

• 650V – 900V
• 900V – 1200V
• 1200V – 1700V
• 以上1700V

按应用

• 电源
• 逆变器
• 工业设备
• 电动汽车（EV）
• 其他

按结束用途

• 汽车
• 电信
• 工业
• 消费电子产品
• 其他

驾驶员

不断扩大的电动汽车市场

电动汽车（EV）采用的激增是碳化硅的重要推动力(SiC) MOSFET 市场。 SiC MOSFET 是集成化的有助于提高电动汽车的效率、性能和续航里程。它们被用于车载充电器、逆变器和 DC-DC 转换器等各种组件中，增强车辆的电源管理系统。

SiC MOSFET 能够以卓越的效率处理高电压和高温，使其特别适合电动汽车电力电子的严格要求。全球转向绿色交通选择以及不断实施严格的环境法规推动汽车制造商开发更节能的车辆，推动了这一趋势。

限制

高生产成本

SiC MOSFET 市场的一个主要限制是生产 SiC 器件的初始成本较高。 SiC MOSFET 的制造工艺复杂，需要高纯度的 SiC 晶圆，生产成本高且具有挑战性。这种复杂性导致更高的pr与传统硅基 MOSFET 相比，生产成本较高。

成本因素会显着影响采用率，特别是在成本敏感的应用中，在这些应用中，SiC MOSFET 的高性能并不能证明其高定价是合理的。再加上所需原材料的供应有限和成本高昂，这可能会阻碍 SiC 技术的可扩展性和广泛采用。

机遇

半导体技术的进步

在半导体技术不断进步的推动下，SiC MOSFET 市场存在巨大的增长机会。晶圆生产和制造技术的改进预计将降低 SiC MOSFET 的成本并提高其性能。

此外，可再生能源系统和工业自动化等需要高效率和高功率密度的行业的扩展，为 SiC MOSFET 的更多采用提供了肥沃的土壤。C MOSFET。该技术的卓越特性对于太阳能逆变器和风力涡轮机等效率和可靠性至关重要的应用尤其有利。

挑战

来自其他技术的竞争

SiC MOSFET 面临来自其他半导体技术的激烈竞争，例如氮化镓 (GaN) 和传统硅基器件。 GaN 在效率和热性能方面具有类似的优势，并且在某些应用中可能会降低成本，从而在某些细分市场中成为 SiC 的可行替代品。

此外，完善的基础设施和硅技术的持续改进继续带来竞争压力。 SiC MOSFET 制造商必须通过持续创新和差异化产品来应对这些挑战，强调 SiC 在高温、高功率和高频应用中的独特优势。

增长因素

碳化硅 (SiC) MOSFET 市场正在经历快速增长，主要是由于各行业对节能解决方案的需求不断增长。 SiC MOSFET 在需要高效率和高功率密度的应用中至关重要，例如电动汽车 (EV)、可再生能源系统和工业自动化。

与传统硅基 MOSFET 相比，它们具有优越的性能，例如更高的导热性、更快的开关速度以及在更高温度下工作的能力，使其成为这些应用的理想选择。这一转变得到了全球推动更加可持续和高效的能源利用的大力支持，特别是在汽车和能源领域，向电动和混合动力技术的转变需要采用先进的电力电子​。

新兴趋势

最重要的趋势之一SiC MOSFET 市场的最终目标是采用宽带隙半导体技术，该技术允许器件在更高的电压、频率和温度下运行。这一趋势对于电力电子器件的小型化和集成至关重要，使设备不仅更小，而且效率更高。

各行业（特别是交通和能源）持续的电气化推动了对 SiC MOSFET 的需求。技术进步也促进了市场增长，各公司在改进 SiC MOSFET 的器件架构、封装和热管理方面取得了长足进步。这些增强功能有助于降低成本并提高 MOSFET 的性能，从而扩大其应用和市场范围​。

业务优势

SiC MOSFET 技术的集成带来了多项业务优势，特别是在高运营效率和性能增强方面。高功率应用。 SiC MOSFET 有助于显着降低功率损耗，这对于旨在提高能源效率和降低运营成本的行业至关重要。

例如，在电动汽车中，SiC MOSFET 通过提高动力总成系统的效率来帮助延长行驶里程并降低充电频率。在太阳能逆变器和风力涡轮机等可再生能源应用中，SiC MOSFET 可提高功率转换效率，从而最大限度地提高这些系统的输出和可靠性。

重点地区和国家

• 北美
  • 美国
  • 加拿大
• 欧洲
  • 德国
  • 法国
  • 英国
  • 西班牙
  • 意大利
  • 欧洲其他地区
• 亚洲-太平洋
  • 中国
  • 日本
  • 韩国
  • 印度
  • 澳大利亚
  • 新加坡
  • Res亚太地区
• 拉丁美洲
  • 巴西
  • 墨西哥
  • 拉丁美洲其他地区
• 中东和非洲
  • 南非
  • 沙特阿拉伯
  • 阿拉伯联合酋长国阿联酋
  • 中东和非洲其他地区

主要厂商分析

​碳化硅 (SiC) MOSFET 市场由几个主要厂商主导，特别是 Wolfspeed、onsemi 和 Littelfuse。这些公司积极进行战略收购、产品创新和合并，以巩固其在行业中的地位。​

Wolfspeed（原名 Cree）在 SiC 技术领域拥有丰富的历史。 2021 年 10 月，该公司更名为 Wolfspeed，反映出其对 SiC 和 GaN 技术的专注。 2023年2月，Wolfspeed宣布计划在德国建设首家欧洲工厂，旨在扩大其SiC器件制造能力

onsemi 通过有针对性的收购战略性地扩展了其 SiC 能力。 2021年8月，该公司同意收购GT Advanced Technologies，增强其SiC晶圆产量。为了进一步巩固其地位，Onsemi 于 2024 年 12 月以1.15 亿美元完成了对 Qorvo 的 SiC JFET 业务（包括联合碳化硅）的收购。

2024 年，英飞凌推出了额定电压为 400 V 的 CoolSiC MOSFET，标志着 AI 服务器电源在功率密度和效率方面取得了显着进步。这项创新与英飞凌最近公布的电源单元 (PSU) 路线图相一致，目标是人工智能服务器中的交流/直流转换阶段。新的 MOSFET 产品组合还专为更广泛的应用而设计，包括太阳能和储能系统 (ESS)、逆变器电机控制。

2023 年，Nexperia 在 SiC MOSFET 市场上取得了长足的进步，推出了其 1,200 V MOSFET、NSF040120L3A0 和 NSF080120L3A，采用三引脚配置。这些器件的主要优势之一是其一致的漏源导通电阻 (RDS (on))，确保在较宽的温度范围内保持稳定的性能。

顶级制造商

• 意法半导体
• 东芝公司
• STARCHIP
• ROHM Semiconductor
• 瑞萨电子公司
• ON半导体
• 三菱电机公司
• Microchip Technology Inc.
• Littelfuse, Inc.
• Infineon Technologies AG
• II-VI Incorporated（现为 Coherent Corp.）
• Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd.

近期进展

• 2024 年 11 月，意法半导体宣布与中国晶圆代工厂华虹合作，于 2025 年底前在深圳生产微控制器芯片。此次合作旨在加强意法半导体的实力;通过利用本地制造能力，巩固在中国市场，特别是电动汽车 (EV) 领域的地位。
• 2024 年 11 月，东芝开始以裸片形式发货其新型 1200V SiC MOSFET 样品。这些器件专为汽车牵引逆变器而设计，具有低导通电阻和高可靠性，可提高电动汽车的能源效率。 ​
• 2024年4月，罗姆子公司SiCrystal扩大了与意法半导体的合作伙伴关系，以供应先进的单晶SiC晶圆。该协议旨在支持电动汽车和可再生能源系统等应用中对碳化硅功率器件不断增长的需求。 ​